11月5日，韩国Business Korea报道称，SK海力士通过将其第六代高带宽内存（HBM4）产品供应给全球最大的人工智能（AI）半导体公司英伟达（NVDA.US），成功将价格上调了50%以上，进一步巩固了其在HBM市场上的领先地位。目前，SK海力士已与英伟达就明年HBM4的供货谈判圆满收官，为其再创佳绩铺平了道路。
今年3月，SK海力士向英伟达交付了全球首个HBM412层堆叠样品。在获得积极评价后，SK海力士于6月开始供应首批产品。与此同时，公司还就HBM4的供货价格与英伟达展开谈判，该产品将用于英伟达下一代AI芯片Rubin，预计将于明年下半年问世。谈判过程并不顺利。HBM4拥有2048条数据传输通道（I/O）互盈策略，是HBM3E的两倍（1024）。此外，HBM4还在连接图形处理器（GPU）与HBM的基片中集成了“逻辑工艺”，如计算效率和能源管理功能。正因如此，SK海力士自HBM4起已开始将基片生产外包给台积电，而此前这一环节一直由公司内部自行制造。
考虑到技术升级所涉及的成本，该公司向英伟达提出了HBM4的定价方案，定在500多美元的中等价位，比其前代产品高出50%以上。然而，英伟达对这一大幅涨价表现出犹豫态度，同时考虑到竞争对手三星电子和美国美光公司已开始大规模供应HBM4芯片，双方因此陷入紧张对峙。
然而互盈策略，最终供货价格已按SK海力士提出的每件约560美元达成一致，这有助于该公司继续巩固其在HBM4市场上的主导地位。SK海力士一位官员表示：“具体供货价格及谈判细节尚无法确认”，但同时解释道：“考虑到工艺升级和原材料成本的上涨，HBM4产品具备大幅涨价的条件。”
在完成价格谈判后，SK海力士近日为机构投资者举行了投资者关系（IR）会议，并预测明年将继续保持较高的营业利润率。据金融投资行业消息，SK海力士表示：“符合英伟达规格的产品价格与销量已得到确认，目前的盈利能力正持续维持。”这意味着，即便三星电子和美光即将进入HBM4市场，也不会对公司的营业利润和业绩产生不利影响。
业界预计SK海力士的HBM4利润率约为60%。市场预测，SK海力士明年HBM销售额将达约40至42万亿韩元。若保持与今年相同的利润率，SK海力士仅HBM业务便能实现约25万亿韩元的营业利润。随着SK海力士从目前主力供应产品HBM3E转向HBM4，其HBM业务的整体表现预计将较今年增长40%至50%（今年销售额约30万亿韩元，营业利润17万亿韩元）。
预计明年SK海力士的营业利润将突破70万亿韩元，其HBM4产品已实现盈利。与此同时，随着全球人工智能基础设施投资热潮的兴起，图形双倍数据速率（GDDR）和低功耗（LP）DDR等通用型DRAM的价格也正大幅上涨。据集邦咨询（DRAMeXchange）数据显示，9月份DDR4固定交易价格首次在6年10个月后突破了7美元大关。这主要是由于通用型DRAM的供应瓶颈蔓延所致，因为近年来主要的内存半导体公司纷纷将重心放在确保高带宽显存（HBM）生产线的供应上。
随着DRAM价格飙升互盈策略，分析指出，海力士明年通用型DRAM的营业利润率也可能逼近50%至60%。一位业内人士表示：“随着推理AI市场快速扩张，内存供应短期内难以跟上需求。”他还补充道：“海力士甚至在产品尚未投产前就已售罄明年的全部产能，因此高利润率将得以持续。”
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